无掩膜光刻机
设备厂商：TuoTuo Technology公司 TTT-07-UV Litho-ACA。
设备特性：特征尺寸0.8 μm，6英寸光刻面积，高精度步进光刻。
设备用途：半导体制造流程中的光刻工艺。
负责人：李山东。
紫外光刻机
设备厂商：中国科学院光电研究所 URE-2000。
设备特性：曝光分辨率≤0.8 μm，曝光面积：160mm*160mm。
设备用途：半导体制造流程中的光刻工艺。
负责人：李山东。
离子束刻蚀机
设备厂商：北京埃德万斯 IBE-150。
设备特性：口径Φ150 mm考夫曼离子源，±90° 可调刻蚀范围，样品台自转转速：0-20 rpm，极限真空：Plim=8.5×10^-5Pa。
设备用途：高真空环境下材料刻蚀。
负责人：李山东。
原子力显微镜
设备厂商：Park Systems公司 Park XE7。
设备特性：XY 扫描器扫描范围：50 μm ×50 μm (可选100 μm×100 μm, 10 μm×10 μm ), Z 扫描器扫描范围：标准：12 μm(可选：25 μm)，物镜：10X（可选 20X），视场：480 × 360 μm，CCD：1M像素（像素分辨率：0.4 μm）。
设备用途：用于表面形貌的高分辨率成像、纳米尺度的力学性能测试以及分子层级的材料研究。
负责人：李山东。
脉冲激光沉积（PLD）系统
设备厂商：安徽外延科技有限公司 EPIPLS001。
设备特性：真空度：1E-8mbar，功率：4kW，防护等级：IP64
设备用途：用于在基底表面精确沉积薄膜。
负责人：李山东。
