仪器名称：   高保型率介电封装材料制备系统             仪器型号：TALD-200D

产地：                        浙江嘉兴                                生产厂家：嘉兴科民电子

购买日期：               2020.12.18                               分类标签：材料制备

联系人：                       张铮                                     联系电话：010-62334725

放置地点：              工程实践基地521

主要规格及技术指标：

1. 镀膜均匀性：在4英寸晶圆上沉积氧化铝，膜厚不均匀性≤±1%；沉积其他高κ氧化物膜厚不均匀性≤ ± 2%；2. 极限真空＜ 5×10-6 Torr，

真空漏率＜5×10-7 Pa*L/s；3. 前驱体源：2 路标准加热液态前驱体源，1路常温源，含两路载气系统；4. 反应温度：室温-300 ℃，精度为±1℃。

主要功能及特色：

高κ金属氧化物薄膜的制备，薄膜厚度可实现纳米级控制。