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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：西安电子科技大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士研究生毕业
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
入职时间：1982-07-30
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：太白校区东大楼517A
联系方式：
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一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
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专利名称：一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
所属单位：100900
教研室：1114
专利范围：1
第一作者：戴显英
专利类型：发明专利
申请号：201110361513.1
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2011-11-16
授权日期：2014-12-10